[发明专利]用于对在外延剥离之后的晶圆进行再利用的热表面处理

权利要求书

1.一种保持生长衬底的完整性的方法，包括：

提供包括生长衬底、一个或多个保护层、牺牲层和至少一个外延层的结构，其中，所述牺牲层和所述一个或多个保护层被设置在所述生长衬底和所述至少一个外延层之间；

通过用蚀刻剂对所述牺牲层进行蚀刻，来释放所述至少一个外延层；以及

对所述生长衬底和/或至少一个所述保护层进行热处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述生长衬底和至少一个所述保护层是被热处理的。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述一个或多个保护层被设置在所述生长衬底之上，并且所述牺牲层被设置在所述一个或多个保护层之上。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述热处理选自炉加热、灯加热、激光加热和带式加热。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述热处理包括快速热处理技术。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，

所述快速热处理技术是快速热退火。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括蚀刻至少一个所述保护层。

8.根据权利要求2所述的方法，还包括在所述热处理之前蚀刻至少一个所述保护层。

9.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述生长衬底包括选自Ge、Si、GaAs、InP、GaN、AlN、GaSb、InSb、InAs及其组合中的材料。

10.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述一个或多个保护层包括选自III-V材料的材料。

11.根据权利要求2所述的方法，其中，

待被热处理的所述至少一个保护层包括GaAs。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，

所述一个或多个保护层包括选自III-V材料的材料。

13.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述生长衬底和至少一个所述保护层包括相同的材料。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，

待被热处理的所述至少一个保护层和所述生长衬底包括相同的材料。

15.根据权利要求2所述的方法，其中，

用于释放所述至少一个外延层的所述蚀刻剂包括HF。

16.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述结构还包括被设置在所述至少一个外延层和所述生长衬底之间的缓冲层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，

所述缓冲层被设置在所述生长衬底和所述一个或多个保护层之间。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，

所述生长衬底、所述缓冲层和至少一个所述保护层包括相同的材料。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，

待被热处理的所述至少一个保护层、所述缓冲层和所述生长衬底包括相同的材料。

20.一种保持生长衬底的完整性的方法，包括：

提供包括生长衬底、第一保护层、第二保护层、牺牲层和至少一个外延层的结构，其中，所述牺牲层以及所述第一保护层和所述第二保护层被设置在所述生长衬底和所述至少一个外延层之间；

通过用蚀刻剂对所述牺牲层进行蚀刻，来释放所述至少一个外延层；以及

对所述生长衬底，和/或所述第一保护层和所述第二保护层中的至少一个保护层进行热处理。