[发明专利]具有有源漂移区带的半导体布置

摘要

一种半导体器件布置包括：第一半导体器件，具有负载路径；以及多个第二半导体器件，每个具有第一负载端子和第二负载端子与控制端子之间的负载路径。所述第二半导体器件使得其负载路径串联连接并且串联连接到所述第一半导体器件的负载路径。所述第二半导体器件中的每一个使得其控制端子连接到其它第二半导体器件之一的负载端子，并且所述第二半导体器件之一使得其控制端子连接到所述第一半导体器件的负载端子之一。所述第二半导体器件中的每一个具有至少一个器件特征。所述第二半导体器件中的至少一个的至少一个器件特征与所述第二半导体器件中的其它半导体器件的对应器件特征不同。

主权项

一种半导体器件布置，包括：第一半导体器件（2），具有负载路径；多个第二半导体器件（3₁‑3_n），每个具有第一负载端子和第二负载端子（32₁‑32_n，33₁‑33_n）与控制端子（31₁‑31_n）之间的负载路径；其中，所述第二半导体器件（3₁‑3_n）使得其负载路径串联连接并且串联连接到所述第一半导体器件（2）的负载路径；其中，所述第二半导体器件（3₁‑3_n）中的每一个使得其控制（31₁‑31_n）端子连接到其它第二半导体器件（3₁‑3_n）之一的所述第一负载端子和第二负载端子之一，并且其中，所述第二半导体器件（3₁‑3_n）之一（3₁）使得其控制端子（31₁‑31_n）连接到所述第一半导体器件（2）的一个负载端子；其中，所述第二半导体器件（3₁‑3_n）中的每一个具有至少一个器件特征；并且其中，所述第二半导体器件（3₁‑3_n）中的至少一个的至少一个器件特征与所述第二半导体器件中的其它半导体器件的对应器件特征不同。