[发明专利]n型扩散层形成用组合物、n型扩散层形成用组合物套剂、带n型扩散层的半导体基板的制造方法、以及太阳能电池元件的制造方法无效
| 申请号： | 201380005051.7 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN104081499A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 织田明博;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;町井洋一;岩室光则;清水麻理;佐藤铁也;芦泽寅之助 | 申请（专利权）人： | 日立化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/225;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其含有：含施主元素化合物；金属化合物，其是与上述含施主元素化合物不同的化合物，且含有选自碱土金属及碱金属中的至少1种金属元素；和分散介质。此外，本发明还提供一种带n型扩散层的半导体基板的制造方法，其在半导体基板上赋予上述n型扩散层形成用组合物而形成组合物层，并且对形成有上述组合物层的半导体基板实施热处理，从而制造带n型扩散层的半导体基板。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 形成 组合 物套剂 半导体 制造 方法 以及 太阳能电池 元件 | ||
【主权项】：
一种n型扩散层形成用组合物，其含有：含施主元素化合物；金属化合物，其是与所述含施主元素化合物不同的化合物，且含有选自碱土金属及碱金属中的至少1种金属元素；和分散介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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