[发明专利]n型扩散层形成用组合物、n型扩散层形成用组合物套剂、带n型扩散层的半导体基板的制造方法、以及太阳能电池元件的制造方法

权利要求书

1.一种n型扩散层形成用组合物，其含有：

含施主元素化合物；

金属化合物，其是与所述含施主元素化合物不同的化合物，且含有选自碱土金属及碱金属中的至少1种金属元素；和

分散介质。

2.根据权利要求1所述的n型扩散层形成用组合物，其中，所述含施主元素化合物为含有磷P的化合物。

3.根据权利要求1或2所述的n型扩散层形成用组合物，其中，所述金属化合物为含有选自镁、钙、钠、钾、锂、铷、铯、铍、锶、钡及镭中的至少1种金属元素的化合物。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的n型扩散层形成用组合物，其中，所述金属化合物的含有率为0.01质量％以上且50质量％以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的n型扩散层形成用组合物，其中，所述金属化合物是在常温呈固体的粒子，所述粒子的体积平均粒径为0.01μm以上且30μm以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的n型扩散层形成用组合物，其中，所述含施主元素化合物为含有选自P₂O₃及P₂O₅中的至少1种物质的化合物。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的n型扩散层形成用组合物，其中，所述含施主元素化合物为玻璃粒子的形态。

8.根据权利要求7所述的n型扩散层形成用组合物，其中，所述玻璃粒子含有：选自P₂O₃及P₂O₅中的至少1种含施主元素物质；和选自SiO₂、K₂O、Na₂O、Li₂O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V₂O₅、SnO、ZrO₂及MoO₃中的至少1种玻璃成分物质。

9.根据权利要求7或8所述的n型扩散层形成用组合物，其中，所述玻璃粒子的含有率为1质量％以上且80质量％以下。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的n型扩散层形成用组合物，其中，所述玻璃粒子中的P₂O₃及P₂O₅的总含有率为0.01质量％以上且10质量％以下。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的n型扩散层形成用组合物，其还含有有机粘合剂。

12.一种带n型扩散层的半导体基板的制造方法，其具有：

在半导体基板上的整面或一部分赋予权利要求1～11中任一项所述的n型扩散层形成用组合物而形成n型扩散层形成用组合物层的工序；和

对形成有所述组合物层的半导体基板实施热处理的工序。

13.根据权利要求12所述的带n型扩散层的半导体基板的制造方法，其还具有在半导体基板上的一部分区域赋予第一n型扩散层形成用组合物而形成第一组合物层的工序，所述第一n型扩散层形成用组合物含有含施主元素化合物及分散介质，

所述形成n型扩散层形成用组合物层的工序为以下工序：在所述半导体基板上的与形成所述第一组合物层的面相同的面上且与形成所述第一组合物层的区域不同的区域，赋予金属化合物的含有率比所述第一n型扩散层形成用组合物大的所述n型扩散层形成用组合物，所述金属化合物含有选自碱土金属及碱金属中的至少1种金属元素。