[发明专利]压电体膜及其制造方法、喷墨头、使用喷墨头形成图像的方法、角速度传感器、使用角速度传感器测定角速度的方法、压电发电元件以及使用该压电发电元件的发电方法有效

专利信息
申请号: 201380003348.X 申请日: 2013-04-10
公开(公告)号: CN103890987B 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 田中良明;张替贵圣;足立秀明;藤井映志 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01L41/187 分类号: H01L41/187;B41J2/045;B41J2/055;C23C14/34;C30B29/32;G01C19/5628;H01L41/047;H01L41/09;H01L41/113;H02N2/18
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于提供具有高结晶取向性和高强介电特性的NBT‑BT非铅压电体膜。本发明的压电体膜具备仅具有(001)取向的(1‑α)(Bi,Na,Ba)TiO3―αBiQO3层。(1‑α)(Bi,Na,Ba)TiO3―αBiQO3层形成在NaxM1‑x层之上,M表示Pt、Ir或PtIr,Q表示Fe、Co、Zn0.5Ti0.5或Mg0.5Ti0.5,x表示0.002以上0.02以下的值,而且,α表示0.20以上0.50以下的值。
搜索关键词: 压电 及其 制造 方法 喷墨 使用 形成 图像 角速度 传感器 测定 发电 元件 以及
【主权项】:
一种压电体膜,其特征在于,包括:作为电极的仅具有(001)取向的NaxM1‑x层;和作为压电层的仅具有(001)取向的(1‑α)(Bi,Na,Ba)TiO3―αBiQO3层,其中,所述(1‑α)(Bi,Na,Ba)TiO3―αBiQO3层形成在所述NaxM1‑x层之上,M表示Pt、Ir或PtIr,Q表示Fe、Co、Zn0.5Ti0.5或Mg0.5Ti0.5,x表示0.002以上0.02以下的值,而且,α表示0.20以上0.50以下的值,所述(1‑α)(Bi,Na,Ba)TiO3―αBiQO3层与所述NaxM1‑x层接触。
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