[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201380003217.1 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103843132A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 小岛俊之;白石司;塚原法人;广濑贵之;生田敬子;小山雅义 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/40 | 分类号： | H01L23/40;H01L21/52;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 俞丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置(1)包括：半导体芯片(2)，该半导体芯片(2)具有第一主面、和位于该第一主面的相反侧的第二主面；散热板(3)，该散热板(3)设置成与所述第一主面相对；第一电极(5)，该第一电极(5)设置在所述第一主面与所述散热板(3)之间，并与所述半导体芯片(2)电连接；压接构件(4)，该压接构件(4)设置成与所述第二主面相对；第二电极(6)，该第二电极(6)设置在所述第二主面与所述压接构件(4)之间，并与所述半导体芯片(2)电连接；以及压力产生机构，该压力产生机构产生压力，以将所述第一电极(5)分别压接到所述散热板(3)和所述半导体芯片(2)上，并且将所述第二电极(6)分别压接到所述压接构件(4)和所述半导体芯片(2)上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体芯片，该半导体芯片具有第一主面、和位于该第一主面的相反侧的第二主面；散热板，该散热板设置成与所述第一主面相对；第一电极，该第一电极设置在所述第一主面与所述散热板之间，并与所述半导体芯片电连接；压接构件，该压接构件设置成与所述第二主面相对；第二电极，该第二电极设置在所述第二主面与所述压接构件之间，并与所述半导体芯片电连接；以及压力产生机构，该压力产生机构产生压力，以将所述第一电极分别压接到所述散热板和所述半导体芯片上，并且将所述第二电极分别压接到所述压接构件和所述半导体芯片上。
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