[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体芯片，该半导体芯片具有第一主面、和位于该第一主面的相反侧的第二主面；

散热板，该散热板设置成与所述第一主面相对；

第一电极，该第一电极设置在所述第一主面与所述散热板之间，并与所述半导体芯片电连接；

压接构件，该压接构件设置成与所述第二主面相对；

第二电极，该第二电极设置在所述第二主面与所述压接构件之间，并与所述半导体芯片电连接；以及

压力产生机构，该压力产生机构产生压力，以将所述第一电极分别压接到所述散热板和所述半导体芯片上，并且将所述第二电极分别压接到所述压接构件和所述半导体芯片上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一电极的与所述半导体芯片相接触的部分的表面粗糙度大于所述半导体芯片的与所述第一电极相接触的部分的表面粗糙度。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还包括绝缘要素，该绝缘要素用于将所述散热板与所述第一电极之间绝缘，

所述散热板的材料为铜或铝。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一电极具有与所述半导体芯片的所述第一主面相对的面，所述第一电极的与所述第一主面相对的面的面积大于所述第一主面的面积，

所述第一电极的与所述第一主面相对的面从投影在该面上的所述第一主面的外周露出，以此方式来配置所述半导体芯片。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述散热板具有向所述半导体芯片的所述第一主面侧开口的第一凹部，

设置在所述第一主面与所述散热板之间的所述第一电极至少有一部分被收纳在所述一凹部内。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一电极具有向所述半导体芯片的所述第一主面侧开口的第二凹部，

所述半导体芯片有一部分被收纳在所述第二凹部内。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述压接构件是第二散热板。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

还包括绝缘要素，该绝缘要素用于将所述第二散热板与所述第二电极之间绝缘，

所述第二散热板的材料为铜或铝。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述散热板的材料是金刚石或陶瓷。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述散热板的材料是氮化镓、氮化硅或氧化铝。

11.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二散热板的材料是金刚石或陶瓷。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二散热板的材料是氮化铝、氮化硅或氧化铝。

13.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还包括第三电极，该第三电极设置在所述压接构件与所述半导体芯片之间不同于所述第二电极的位置上，与所述半导体芯片电连接，并且，通过所述压力产生机构而被分别压接在所述压接构件与所述半导体芯片上，

所述压力产生机构产生压力，使得施加在所述第二电极上的压力大于施加在所述第三电极上的压力。

14.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体芯片具有形成在所述第二主面上的发射极、源极或阳极作为表面电极，

所述第二电极与所述发射极、源极或阳极电连接，

所述压力产生机构施加在所述第二电极上的压力为0.5MPa以上且小于30MPa。

15.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在散热板上设置第一电极的工序；

在所述第一电极上设置半导体芯片的工序；

在所述半导体芯片上设置第二电极的工序；

在所述第二电极上设置压接构件的工序；以及

从所述散热板和所述压接构件向所述半导体芯片施加压力，将所述第一电极与所述半导体芯片压接，同时将所述第二电极与所述半导体芯片压接的工序。