[发明专利]复合基板、发光元件以及复合基板的制造方法无效
| 申请号： | 201380001199.3 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN103563051A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 岩井真;仓冈义孝 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/12;H01L33/22 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本爱知县名古*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在蓝宝石基板（2）的c面（2a）上设置多个凸部（3）。接着，在c面（2a）上通过气相法生长氮化镓晶体构成的衬底层（5）。接着，在衬底层（5）上通过助熔剂法设置氮化镓晶体层（6）。凸部（3）为六角柱形状或六角锥形状。利用凸部（3）周边的氮化镓晶体生长速度的差异，缓和蓝宝石与氮化镓晶体之间的应力，降低由其造成的裂纹或开裂。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 发光 元件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种复合基板，其特征在于，具备有c面上设置了多个凸部的蓝宝石基板以及在所述c面上结晶生长的氮化镓晶体，所述凸部为六角柱形状或六角锥形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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