[发明专利]复合基板、发光元件以及复合基板的制造方法无效
| 申请号: | 201380001199.3 | 申请日: | 2013-05-22 |
| 公开(公告)号: | CN103563051A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
| 发明(设计)人: | 岩井真;仓冈义孝 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L33/12;H01L33/22 |
| 代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 李晓 |
| 地址: | 日本爱知县名古*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 复合 发光 元件 以及 制造 方法 | ||
1.一种复合基板,其特征在于,具备有c面上设置了多个凸部的蓝宝石基板以及在所述c面上结晶生长的氮化镓晶体,所述凸部为六角柱形状或六角锥形状。
2.根据权利要求1所述的复合基板,其特征在于,所述凸部在所述c面内呈6次旋转对称排列。
3.根据权利要求1或2所述的复合基板,其特征在于,所述凸部的周期D在20μm以下。
4.根据权利要求1~3任意一项所述的复合基板,其特征在于,所述氮化镓晶体的最表层通过助熔剂法生长。
5.根据权利要求1~4任意一项所述的复合基板,其特征在于,所述氮化镓晶体的与所述c面相接的衬底层通过气相法生长。
6.一种发光元件,其特征在于,具有权利要求1~5任意一项所述的复合基板以及设置在所述氮化镓晶体上的发光元件构造。
7.一种复合基板的制造方法,其特征在于,具有以下工序:
凸部形成工序,其是在蓝宝石基板的c面上设置多个凸部的工序,此时所述凸部为六角柱形状或六角锥形状;
衬底层形成工序,其是氮化镓晶体构成的衬底层通过气相法在所述c面上生长的工序;以及
生长工序,其是在所述衬底层上通过助熔剂法设置氮化镓晶体层的工序。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述凸部形成工序中,通过对所述蓝宝石基板的平坦的c面进行蚀刻而形成所述凸部。
9.根据权利要求7或8所述的方法,其特征在于,所述凸部在所述c面内呈6次旋转对称排列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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