[实用新型]CD标准片和CDSEM设备监测结构有效
| 申请号： | 201320879170.2 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN203719640U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 刘媛娜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01B15/00 | 分类号： | G01B15/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种CD标准片和CDSEM设备监测结构，CD标准片用于监测CDSEM设备的性能，所述CD标准片结构包括具有预定线宽的待测掺杂条和重掺杂层，所述待测掺杂条形成于所述重掺杂层之上。将重掺杂层和待测掺杂条均重掺杂P元素，使待测掺杂条以及重掺杂层均能够导电，从而使残留在所述待测重掺杂条的电荷转移至别处，减少对空气中颗粒的吸附，避免碳积效应，提高所述CD标准片的使用寿命，减少更换CD标准片的频率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | cd 标准 cdsem 设备 监测 结构 | ||
【主权项】：
一种CD标准片结构，用于监测CDSEM设备的性能，其特征在于，所述CD标准片结构包括具有预定线宽的待测掺杂条和重掺杂层，所述待测掺杂条形成于所述重掺杂层之上。
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