[实用新型]CD标准片和CDSEM设备监测结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种CD标准片和CDSEM设备监测结构。 

背景技术

随着半导体特征尺寸（Critical Dimension，CD）的持续缩小，特征尺寸对半导体芯片的性能影响越来越大，因此工艺对特征尺寸的精准度要求也越来越高。通常情况下，半导体行业均采用特征尺寸电子扫描设备（Critical Dimension Scanning Electron Microscope，CDSEM）来检测特征尺寸是否符合要求。为了监测CDSEM设备的性能，半导体业界通常使用CD标准片对CDSEM做定期的校准，以监测CDSEM设备的检测状态，防止CDSEM出现偏移状况。 

现有技术中，CD标准片是在裸硅的晶圆表面形成具有预定线宽的多晶硅条（Polysilicon line），对CDSEM设备进行校准时，CDSEM设备通过量测多晶硅条的线宽是否与预定线宽相符合，来判断CDSEM设备用于测量CD的对焦以及电子束是否处于正常状态。 

然而，由于CDSEM使用X光（X-Ray）作为电子束，多次多CD标准片的多晶硅条进行轰击测量之后，会在晶圆的表面产生电荷，使所述多晶硅条带有一定电荷，随着电荷的积累，会对空气中的漂浮颗粒进行吸附，致使大量的漂浮颗粒吸附在所述多晶硅条的表面，产生碳积效应，直接影响多晶硅条的线宽，使预定线宽变大，导致CD标准片在长期使用之后多晶硅条线宽发生较大的变化，不适宜作为CD标准片。因此，需要定期更换新的CD标准片，这就造成了生产费用的增加。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种CD标准片和CDSEM设备监测结构，能够消除电荷的产生，提高CD标准片的使用寿命，减少更换CD标准片的频率，降低生产成本。 

为了实现上述目的，本实用新型提出了一种CD标准片结构，用于监测CDSEM设备的性能，所述CD标准片结构包括具有预定线宽的待测掺杂条和重掺杂层，所述待测掺杂条形成于所述重掺杂层之上。 

进一步的，在所述的CD标准片结构中，所述CD标准片结构还包括单晶硅，所述单晶硅位于所述重掺杂层之上，并与所述待测掺杂条具有一定距离。 

进一步的，在所述的CD标准片结构中，所述CD标准片结构还包括隔离层，所述隔离层形成于所述重掺杂层的表面，并位于所述待测掺杂条与所述单晶硅之间。 

进一步的，在所述的CD标准片结构中，所述预定线宽范围是10nm～100nm。 

进一步的，本实用新型还提出了一种CDSEM设备监测结构，所述结构包括电子卡盘以及如上文所述的CD标准片，所述CD标准片的重掺杂层位于所述电子卡盘的表面。 

进一步的，在所述的CDSEM设备监测结构中，所述CD标准片结构还包括单晶硅，所述单晶硅位于所述重掺杂层之上，并与所述待测掺杂条具有一定距离。 

进一步的，在所述的CDSEM设备监测结构中，所述CD标准片结构还包括隔离层，所述隔离层形成于所述重掺杂层的表面，并位于所述待测掺杂条与所述单晶硅之间。 

进一步的，在所述的CDSEM设备监测结构中，所述预定线宽范围是10nm～100nm。 

进一步的，在所述的CDSEM设备监测结构中，所述电子卡盘接地。 

与现有技术相比，本实用新型的有益效果主要体现在：将重掺杂层和待测 掺杂条均重掺杂P元素，使待测掺杂条以及重掺杂层均能够导电，从而使残留在所述待测重掺杂条的电荷转移至别处，减少对空气中颗粒的吸附，避免碳积效应，提高所述CD标准片的使用寿命，减少更换CD标准片的频率，降低生产成本。 

附图说明

图1为本实用新型一实施例中CD标准片结构的剖面示意图； 

图2为本实用新型一实施例中CDSEM设备监测结构的剖面示意图。 

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的CD标准片和CDSEM设备监测结构进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。