[实用新型]一种用于硅片扩散和氧化的石英舟有效
| 申请号: | 201320837861.6 | 申请日: | 2013-12-18 |
| 公开(公告)号: | CN203659821U | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
| 发明(设计)人: | 万松博;孙祥;王栩生;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋;陆金星 |
| 地址: | 215129 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种用于硅片扩散和氧化的石英舟,包括左支撑板和右支撑板,左支撑板和右支撑板之间设有支撑柱和限位柱,支撑柱和限位柱的内侧面均平行设置有复数个卡槽,所述卡槽与相邻卡槽位于同一平面且相互配合,形成硅片承载槽;所述支撑柱和限位柱上的卡槽均为V型卡槽。本实用新型通过设置V型卡槽,改变了硅片与石英舟的接触方式,仅使硅片的侧边与石英舟线接触,而硅片的表面不与石英舟面接触,从而解决了在扩散过程中因硅片表面与石英舟相接触而造成的掺杂浓度、磷硅玻璃层和氧化层的不均匀性问题。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 用于 硅片 扩散 氧化 石英 | ||
【主权项】:
一种用于硅片扩散和氧化的石英舟,包括左支撑板(1)和右支撑板(2),左支撑板和右支撑板之间设有支撑柱(3)和限位柱(4),支撑柱和限位柱的内侧面均平行设置有复数个卡槽(5),所述卡槽与相邻卡槽位于同一平面且相互配合,形成硅片承载槽;其特征在于:所述支撑柱和限位柱上的卡槽均为V型卡槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





