[实用新型]一种硅基量子阱太阳电池有效
| 申请号： | 201320818643.8 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN203721743U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 薛黎明;周洪全 | 申请（专利权）人： | 北京桑纳斯太阳能电池有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 102200 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅基量子阱太阳电池，从下至上依次包括衬底、P型晶硅层、N型晶硅层、GaN缓冲层、Si掺杂的n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱本征吸收层、AlGaN阻挡层、Mg掺杂p型GaN接触层，其中，在Si掺杂的n-GaN层上设置有负电极，在Mg掺杂p型GaN接触层上设置有正电极。本实用新型结构简单，设计合理，具有较强的可操作性，而且成本较低，适用于商业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种硅基量子阱太阳电池，其特征在于，从下至上依次包括衬底、P型晶硅层、N型晶硅层、GaN缓冲层、Si掺杂的n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱本征吸收层、AlGaN阻挡层、Mg掺杂p型GaN接触层，其中，在Si掺杂的n‑GaN层上设置有负电极，在Mg掺杂p型GaN接触层上设置有正电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
