[实用新型]一种硅基量子阱太阳电池

权利要求书

1.一种硅基量子阱太阳电池，其特征在于，从下至上依次包括衬底、P型晶硅层、N型晶硅层、GaN缓冲层、Si掺杂的n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱本征吸收层、AlGaN阻挡层、Mg掺杂p型GaN接触层，其中，在Si掺杂的n-GaN层上设置有负电极，在Mg掺杂p型GaN接触层上设置有正电极。

2.如权利要求1所述的硅基量子阱太阳电池，其特征在于，所述InGaN/GaN多量子阱本征吸收层设置在所述Si掺杂的n-GaN层的局部上表面上，所述Si掺杂的n-GaN层的另外局部上表面上设置有所述负电极。

3.如权利要求1所述的硅基量子阱太阳电池，其特征在于，所述P型晶硅层、N型晶硅层中的晶体硅为单晶硅、多晶硅、非晶硅或微晶硅。

4.如权利要求1所述的硅基量子阱太阳电池，其特征在于，所述正电极和负电极自下至上依次包括第一Ti层、Al层、第二Ti层、Au层。

5.如权利要求4所述的硅基量子阱太阳电池，其特征在于，所述第一Ti层厚度为25nm，所述Al层厚度为200nm，所述第二Ti层厚度为25nm，所述Au层厚度为200nm。

6.如权利要求1所述的硅基量子阱太阳电池，其特征在于，所述Si掺杂的n-GaN层的厚度为3μm。

7.如权利要求1所述的硅基量子阱太阳电池，其特征在于，所述InGaN/GaN多量子阱本征吸收层的阱层为In_0.16Ga_0.84N，厚度为3nm，势垒层为GaN，厚度为13nm。

8.如权利要求1所述的硅基量子阱太阳电池，其特征在于，所述Mg掺杂p型GaN接触层的厚度为150nm。