[实用新型]基于高压DMOS实现的电平转换电路有效
| 申请号： | 201320756584.6 | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN203608177U | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 谢正开 | 申请（专利权）人： | 峰岹科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 廉红果 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于高压DMOS实现的电平转换电路，主要由低压电路（10）和高压电路（20）组成，其特征在于，所述低压电路（10）由高压DMOS（11），与高压DMOS（11）的栅极相连接的脉冲发生电路（12），以及一端与高压DMOS（11）的源极相连接、另一端接地的温度互补电路（13）组成；所述高压DMOS（11）的漏极则与高压电路（20）相连接。本实用新型通过温度互补电路能有效的对高压DMOS进行温度补偿，不仅其整体电路结构非常简单，而且其性能非常稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 高压 dmos 实现 电平 转换 电路 | ||
【主权项】：
基于高压DMOS实现的电平转换电路，主要由低压电路（10）和高压电路（20）组成，其特征在于，所述低压电路（10）由高压DMOS（11），与高压DMOS（11）的栅极相连接的脉冲发生电路（12），以及一端与高压DMOS（11）的源极相连接、另一端接地的温度互补电路（13）组成；所述高压DMOS（11）的漏极则与高压电路（20）相连接。
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