[实用新型]基于高压DMOS实现的电平转换电路有效
申请号: | 201320756584.6 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN203608177U | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 谢正开 | 申请(专利权)人: | 峰岹科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
代理公司: | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人: | 廉红果 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种基于高压DMOS实现的电平转换电路,主要由低压电路(10)和高压电路(20)组成,其特征在于,所述低压电路(10)由高压DMOS(11),与高压DMOS(11)的栅极相连接的脉冲发生电路(12),以及一端与高压DMOS(11)的源极相连接、另一端接地的温度互补电路(13)组成;所述高压DMOS(11)的漏极则与高压电路(20)相连接。本实用新型通过温度互补电路能有效的对高压DMOS进行温度补偿,不仅其整体电路结构非常简单,而且其性能非常稳定。 | ||
搜索关键词: | 基于 高压 dmos 实现 电平 转换 电路 | ||
【主权项】:
基于高压DMOS实现的电平转换电路,主要由低压电路(10)和高压电路(20)组成,其特征在于,所述低压电路(10)由高压DMOS(11),与高压DMOS(11)的栅极相连接的脉冲发生电路(12),以及一端与高压DMOS(11)的源极相连接、另一端接地的温度互补电路(13)组成;所述高压DMOS(11)的漏极则与高压电路(20)相连接。
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