[实用新型]基于高压DMOS实现的电平转换电路

权利要求书

1.基于高压DMOS实现的电平转换电路，主要由低压电路（10）和高压电路（20）组成，其特征在于，所述低压电路（10）由高压DMOS（11），与高压DMOS（11）的栅极相连接的脉冲发生电路（12），以及一端与高压DMOS（11）的源极相连接、另一端接地的温度互补电路（13）组成；所述高压DMOS（11）的漏极则与高压电路（20）相连接。

2.根据权利要求1所述的基于高压DMOS实现的电平转换电路，其特征在于，所述温度互补电路（13）由相互串接的正温度系数电阻R2和负温度系数电阻R3组成，所述正温度系数电阻R2的另一端则与高压DMOS（11）的源极相连接，而负温度系数电阻R3的另一端则接地。

3.根据权利要求1或2所述的基于高压DMOS实现的电平转换电路，其特征在于，所述高压电路（20）由反相器（21）、串接在反相器（21）的两个输入端之间的降压电阻R1，与该降压电阻R1相并联的钳位二极管（22），以及与反向器（21）的输出端相连接的输出信号处理电路（23）组成；所述高压DMOS（11）的漏极则与反向器（21）的输入端相连接。