[实用新型]一种具有无边界接触窗的半导体元件

摘要

一种具有无边界接触窗的半导体元件，至少包含：一半导体基底；一氧化物层；一第一介电材料层，用以作为无边界接触窗的阻绝层；一闸氧化层与多晶硅层，用以作为半导体的闸极结构；一轻掺杂汲极；一第二介电材料层，用以作为闸极的间隔壁；一重掺杂离子植入区，用以作为半导体的源/汲极；多个金属硅化物，用以降低接触电阻；及一内层介电材料层，所述源/汲极与该浅沟槽隔离区之间蚀刻一无边界接触窗，用以连接金属层。本实用新型可节省布局面积，降低成本，且藉由浅沟槽隔离区上部两侧的氮化硅侧隙壁，可克服翘曲效应的影响，同时无边界接触窗的阻绝层，可避免蚀刻时裸露的浅沟槽隔离区被过度蚀刻而造成接合漏电，且生产工艺更简化。

主权项

一种具有无边界接触窗的半导体元件，其特征在于：至少包含： 一半导体基底，具有一浅沟槽隔离区； 一氧化物层，形成于所述浅沟槽隔离区内及半导体基底表面上方，通过化学机械研磨法及氧化物回蚀方式，使该氧化物层的高度低于半导体基底表面； 一第一介电材料层，形成于所述浅沟槽隔离区的氧化物层上部内侧，用以作为无边界接触窗的阻绝层； 一闸氧化层与多晶硅层，依序形成于半导体基底表面上方，用以作为半导体的闸极结构； 一轻掺杂汲极，形成于所述闸极与浅沟槽隔离区之间； 一第二介电材料层，形成于所述闸极的侧壁，用以作为闸极的间隔壁； 一重掺杂离子植入区，形成于所述轻掺杂汲极与浅沟槽隔离区之间的半导体基底内，用以作为半导体的源/汲极； 多个金属硅化物，形成于所述闸极与源/汲极上方，用以降低接触电阻； 及一内层介电材料层，形成于晶片表面上方，所述源/汲极与该浅沟槽隔离区之间蚀刻一无边界接触窗，用以连接金属层。