[实用新型]一种四象限功率单元装置及包括该装置的高压变频器有效
申请号: | 201320745732.4 | 申请日: | 2013-11-21 |
公开(公告)号: | CN203590049U | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 周吉;陈江洪;汤雪华 | 申请(专利权)人: | 上海电气集团股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/00 | 分类号: | H02M7/00;H05K7/20 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 200336 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及高压大功率变频调速装置领域,尤其涉及一种四象限功率单元装置及包括该装置的高压变频器,通过设置于壳体中的若干IGBT模块、可控硅、二极管整流桥、散热器等设备后,在有效的实现功率器件冗余设计的同时,大大提高器件运行的可靠性,尤其是铜质的散热器,能够对上述的器件结构于单元壳体中散发的热量有效的进行散热,进而保证了单元壳体中温度在器件结构正常运转的范围内,以有效提高器件的性能和稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 象限 功率 单元 装置 包括 高压 变频器 | ||
【主权项】:
一种四象限功率单元装置,其特征在于,所述装置包括: 包含有壳体支架的单元壳体,若干IGBT模块、散热器、薄膜电容、可控硅和二极管整流桥; 所述IGBT模块固定设置于所述壳体支架上,以将所述IGBT模块固定于所述单元壳体上,且每个所述IGBT模块上还设置有吸收电容,所述IGBT模块通过输出铜排与外部器件结构连接; 所述可控硅和所述二极管整流桥固定设置于所述壳体支架上,且所述可控硅通过所述二极管整流桥与所述输出铜排连接; 所述散热器固定设置于所述单元壳体上,且所述单元壳体上设置有排气孔,所述散热器通过所述排气孔进行散热。
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