[实用新型]磁传感器以及磁传感器装置有效

专利信息
申请号: 201320665569.0 申请日: 2013-10-25
公开(公告)号: CN203536475U 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 福中敏昭;长谷川秀则 申请(专利权)人: 旭化成微电子株式会社
主分类号: H01L43/06 分类号: H01L43/06;H01L43/04;G01R33/07
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种磁传感器以及磁传感器装置,在薄型化的小片中电流反向流过的情况下也能够防止漏电流的增大、即使反向安装也能够抑制漏电流的增大。具备:引线框(10),其具有岛(11)以及配置在该岛(11)的周围的多个引线端子(12~15);小片(20),其经由粘接层安装在岛(11)上;以及多个金属细线(41~44),其将小片(20)所具有的多个电极部(23a~23d)与多个引线端子(12~15)分别电连接。引线端子(12)是与岛(11)电连接的岛端子。另外,粘接层是使岛(11)与小片(20)之间绝缘的绝缘膏(30)、或者模片接触薄膜(150)的粘接层(130)。
搜索关键词: 传感器 以及 装置
【主权项】:
一种磁传感器,其特征在于,具备:引线框,其具有岛以及配置在该岛的周围的多个引线端子;小片,其经由粘接层安装在上述岛上;以及多个导线,其将上述小片所具有的多个电极部与上述多个引线端子分别电连接,其中,上述多个引线端子包含电连接在上述岛的岛端子,且上述粘接层是使上述岛与上述小片之间绝缘的绝缘粘接层。
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