[实用新型]磁传感器以及磁传感器装置有效
申请号: | 201320665569.0 | 申请日: | 2013-10-25 |
公开(公告)号: | CN203536475U | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 福中敏昭;长谷川秀则 | 申请(专利权)人: | 旭化成微电子株式会社 |
主分类号: | H01L43/06 | 分类号: | H01L43/06;H01L43/04;G01R33/07 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 以及 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种磁传感器,特别是涉及一种在薄型化的小片中电流反向流过的情况下也能够防止漏电流增大的磁传感器。
背景技术
作为利用了霍尔效应的磁传感器,例如已知有检测磁(磁场)并输出与其大小成比例的模拟信号的霍尔元件、检测磁并输出数字信号的霍尔IC。例如专利文献1公开了具备引线框、小片(即磁传感器芯片)以及金属细线的磁传感器。在该磁传感器中,引线框具有为了获得与外部的电连接而配置在四角的端子,小片装载于引线框的岛。而且,小片所具有的电极与引线框所具有的各端子通过金属细线相连接。
专利文献1:日本特开2007-95788号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
另外,在专利文献1所公开的磁传感器中,也可以将引线框所具有的配置在四角的引线端子中的、连接在接地电位的端子(以下称为接地端子)与岛形成为一体。由此,岛的电位成为接地电位,能够防止电荷积存于岛,因此能够抑制在磁传感器检测磁时产生噪声。
另外,近年来,伴随着电子设备的小型化等而磁传感器的小型、薄型化也得以发展。例如,磁传感器的封装后的尺寸(即封装尺寸)实现了纵1.6mm、宽0.8mm、厚度0.38mm。另外,通过进一步使小片变薄还能够使封装尺寸的厚度成为0.30mm。
在此,当如上述那样磁传感器的小型、薄型化得以进步时,在将磁传感器安装在布线基板或者插座等时在俯视的情况下看错磁传感器的朝向的可能性变高。例如图的8(a)所示,在将磁传感器300正确地安装于布线基板400的情况下,引线框的接地端子311与布线基板400的接地用布线411连接,引线框的电源端子313与布线基板400的电源用布线413连接。但是,当磁传感器300如上述那样小型化时,用肉眼难以识别印刷在封装表面的文字、符号等(例如,A、B、C、D),难以根据这些符号等来判断磁传感器300的朝向。其结果,导致例如图8的(b)所示那样反向地安装磁传感器300而将接地端子311与电源用布线413连接、将电源端子313与接地用布线411连接的可能性变高。
此外,假设在将磁传感器300如图8的(b)所示那样反向安装的情况下,电流从接地端子311向电源端子313(即反向)流过,但是能够在其它的引线端子312、314之间测量电位差。另外,岛315固定为电源电位,蓄积于岛315的电荷保持为固定量,因此也能够抑制产生噪声。因此,在反向地安装了磁传感器300的情况下,其动作应该也不会产生大的问题。
然而,本实用新型的发明人发现当反向地安装磁传感器300而使电流反向流过时漏电流变大(第一课题)。另外,发现配置于岛315上的小片越薄该漏电流越大(第二课题)。
因此,本实用新型是鉴于如上述那样本实用新型的发明者所发现的第一、第二课题而作出的,其目的在于提供一种在电流反向流过薄型化的磁传感器的情况下也能够防止漏电流的增大的磁传感器。
用于解决问题的方案
本实用新型的发明人对产生上述第一、第二课题的原因(机理)如下地进行了考察。
图9的(a)以及(b)是表示本实用新型的发明人所考察的漏电流增大的机理的概念图。在图9的(a)以及(b)所示的磁传感器300中,小片320经由银(Ag)膏340安装在引线框310的岛315上。另外,引线框310具有与岛315成为一体的引线端子(即岛端子)311、以及与岛315分离的电源端子313。如图9的(a)所示,在将磁传感器300正确地安装在布线基板或者插座等的情况下,岛端子311成为接地端子。另外,小片320与Ag膏340的接合面成为半导体(例如,GaAs)与金属(Ag)的肖特基结。
在图9的(a)所示的情况下,向该肖特基结施加反偏置,因此电流不从小片320流过岛315。电流从电源端子313通过金属细线351、小片320的活性层321、金属细线352流到岛端子311。
另一方面,如图9的(b)所示在将磁传感器300反向地安装的情况下,岛端子311成为电源端子,电源端子313成为接地端子。在这种情况下,在小片320与Ag膏340的肖特基结中施加顺向偏置。
在此,构成小片320的半导体(例如,GaAs)是半绝缘性(≈超高电阻),因此当小片320厚时即使向肖特基结施加顺向偏置也几乎不流过电流。然而,当使小片320变薄时,电阻值与其厚度的减少量成比例地减少。因此,伴随着小片320的薄型化,容易向肖特基结的顺向流过电流。即容易漏电流以岛端子311→岛315→Ag膏340→小片320→金属细线351→电源端子313这样的路径流过。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭化成微电子株式会社,未经旭化成微电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320665569.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种阵列基板、显示装置及其修复方法
- 下一篇:阵列基板、显示装置及其驱动方法