[实用新型]一种紫外发光二极管有效
| 申请号： | 201320641628.0 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN203596359U | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 吴志浩;方妍妍;戴江南;陈长清 | 申请（专利权）人： | 武汉光电工业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/14;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 430075 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种紫外发光二极管，包括：衬底，AlN本征层，n型AlxGa1-xN层，AlxGa1-xN多量子阱层，p型AlxGa1-xN电子阻挡层，P型GaN层，纳米金属颗粒结构，电流扩展层，p型电极，n型电极，倒装基板。本实用新型利用纳米金属颗粒结构的表面等离激元对材料发光的增强效应来提高AlGaN基紫外发光二极管里AlGaN量子阱的内量子效率，提高了紫外发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种紫外发光二极管，其特征在于，包括： 衬底； AlN本征层，形成在所述衬底上； n型AlxGa1‑xN层，形成在所述AlN层上，且所述n型AlxGa1‑xN层具有第一表面和第二表面； AlxGa1‑xN多量子阱层，形成在所述n型AlxGa1‑xN层的第一表面上； p型AlxGa1‑xN电子阻挡层，形成在所述AlxGa1‑xN多量子阱层上； P型GaN层，形成在所述p型AlxGa1‑xN电子阻挡层上； 纳米金属颗粒结构，形成在所述P型GaN层上； 电流扩展层，形成在所述纳米金属颗粒结构上； p型电极，形成在所述电流扩展层上； n型电极，形成在所述n型AlxGa1‑xN层的第二表面上； 倒装基板，通过焊料分别与所述p型电极和所述n型电极焊接。
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