[实用新型]一种紫外发光二极管有效
| 申请号： | 201320641628.0 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN203596359U | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 吴志浩;方妍妍;戴江南;陈长清 | 申请（专利权）人： | 武汉光电工业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/14;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 430075 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 发光二极管 | ||
1.一种紫外发光二极管，其特征在于，包括：
衬底；
AlN本征层，形成在所述衬底上；
n型AlxGa1-xN层，形成在所述AlN层上，且所述n型AlxGa1-xN层具有第一表面和第二表面；
AlxGa1-xN多量子阱层，形成在所述n型AlxGa1-xN层的第一表面上；
p型AlxGa1-xN电子阻挡层，形成在所述AlxGa1-xN多量子阱层上；
P型GaN层，形成在所述p型AlxGa1-xN电子阻挡层上；
纳米金属颗粒结构，形成在所述P型GaN层上；
电流扩展层，形成在所述纳米金属颗粒结构上；
p型电极，形成在所述电流扩展层上；
n型电极，形成在所述n型AlxGa1-xN层的第二表面上；
倒装基板，通过焊料分别与所述p型电极和所述n型电极焊接。
2.如权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述衬底是蓝宝石、碳化硅或AlN。
3.如权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述AlN本征层的厚度在0-10微米之间。
4.如权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述n型AlxGa1-xN层的厚度为0.1-10微米。
5.如权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述AlxGa1-xN多量子阱层的厚度为1-500纳米。
6.如权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述p型AlxGa1-x N电子阻挡层的厚度为1-200纳米。
7.如权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述p型GaN层厚度为1-200纳米。
8.如权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述金属纳米颗粒结构中的金属纳米颗粒直径为1-500纳米。
9.如权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述电流扩展层为与所述p型GaN层形成欧姆接触的非金属导电层。
10.如权利要求9所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述电流扩展层为氧化铟锡、氧化镓锌或氧化铝锌。
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