[实用新型]集成电路器件有效
| 申请号： | 201320529439.4 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN203659847U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | J·H·张;L·A·克莱文杰;C·拉登斯;徐移恒 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种集成电路器件。在集成电路裸片中堆叠的多个金属间电介质层中形成多个金属轨道。在金属轨道周围形成薄保护电介质层。保护电介质层充当用于在金属间电介质层中的金属轨道之间限定接触过孔的硬掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
一种集成电路器件，其特征在于，包括： 半导体衬底； 在所述半导体衬底中的多个晶体管； 在所述半导体衬底上面的第一金属间电介质层； 在所述第一金属间电介质层上面的多个第一金属轨道； 在所述第一金属轨道中的至少一个第一金属轨道的顶部、底部和侧部上的第一保护电介质层； 在所述第一金属轨道和所述第一保护电介质层上面的第二金属间电介质层； 在所述第二金属间电介质层上面的多个第二金属轨道；以及 在所述第二金属轨道中的至少一个第二金属轨道的顶部、底部和侧部上的第二保护电介质层，所述第一金属间电介质层和所述第二金属间电介质层相对于所述第一保护电介质层和所述第二保护电介质层选择性地可蚀刻。
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