[实用新型]集成电路器件

说明书

技术领域

本公开内容涉及集成电路设计领域。本公开内容更具体地涉及集成电路裸片内的金属互连。 

背景技术

随着集成电路技术继续缩减规模至更小技术节点，后段制程的线连接变得实施起来很有挑战性和复杂。复杂的图案化方案(诸如双图案化)用来提供越来越小的互连特征。随着集成电路内的过孔和金属线一起变得更小并且更近，许多问题可能在集成电路内出现。这些问题可能包括在制造期间难以对准光刻掩模以及在集成电路的寿命期间的电迁移和依赖于时间的电介质击穿。 

实用新型内容

本实用新型旨在解决随着集成电路内的过孔和金属线一起变得更小并且更近，而可能在集成电路内出现的许多问题。 

为了实现上述目的，本实用新型提供一种集成电路器件，包括： 

半导体衬底； 

在所述半导体衬底中的多个晶体管； 

在所述半导体衬底上面的第一金属间电介质层； 

在所述第一金属间电介质层上面的多个第一金属轨道； 

在所述第一金属轨道中的至少一个第一金属轨道的顶部、底部和侧部上的第一保护电介质层； 

在所述第一金属轨道和所述第一保护电介质层上面的第二金属间电介质层； 

在所述第二金属间电介质层上面的多个第二金属轨道；以及 

在所述第二金属轨道中的至少一个第二金属轨道的顶部、底部和侧部上的第二保护电介质层，所述第一金属间电介质层和所述第二金属间电介质层相对于所述第一保护电介质层和所述第二保护电介质层选择性地可蚀刻。 

优选地，包括在所述第一金属间电介质层和所述第二金属间电介质层中的第一过孔，所述第一保护电介质层形成确定所述第一过孔的一个宽度尺度的至少一个侧壁。 

优选地，包括在所述第一过孔中的第一传导塞，所述第一传导塞与所述第二金属轨道中的至少一个金属轨道一体。 

优选地，所述第一保护电介质层包括氮化硅。 

优选地，所述第一保护电介质层包括碳。 

优选地，所述第一保扩电介质层具有少于50nm的厚度，并且所述第一金属间电介质层具有大于100nm的厚度。 

优选地，包括： 

在所述第二金属间电介质层上面的第三金属间电介质层； 

在所述第三金属间电介质层上面的多个第三金属轨道； 

覆盖所述第三金属轨道中的至少一个第三金属轨道的顶部、底部和侧部的第三保护电介质层； 

在所述第三金属轨道和所述第三保护电介质层上面的第四金属间电介质层； 

在所述第四金属间电介质层上面的多个第四金属轨道；以及 

覆盖所述第四金属轨道中的至少一个第四金属轨道的顶部、底部和侧部的第四保护电介质层。 

优选地，包括在所述第三金属间电介质层和所述第四金属间电介质层中的暴露第二传导塞的第二过孔。 

优选地，包括在所述第二过孔中的将所述至少一个第四金属轨道电耦合到所述至少一个第二金属轨道的第二传导塞。 

本实用新型还提供另一种集成电路器件，包括： 

半导体衬底； 

在所述半导体衬底上面的第一金属间电介质层； 

在所述第一金属间电介质层上面的第一金属轨道； 

在所述第一金属轨道的顶部、底部和侧部表面上的保护电介质层； 

在所述第一金属轨道和所述第一保护电介质层上面的第二金属间电介质层； 

在所述第二金属间电介质层上的第二金属轨道； 

在所述第二金属轨道的顶部、底部和侧部表面上的保护电介质层； 

在所述第一金属间电介质层和所述第二金属间电介质层中的第一过孔，所述第一保护电介质层形成限定所述第一过孔的宽度尺度的至少一个侧壁；以及 

在所述第一过孔中的第一传导塞。 

优选地，包括： 

在所述第二金属间电介质中的第二过孔； 

所述第二过孔中的连接所述第二金属轨道与所述第一金属轨道的第二传导塞。 

优选地，所述第一传导塞、所述第二传导塞和所述第二金属轨道相互一体。