[实用新型]基于光子晶体的RF-MEMS开关有效
| 申请号： | 201320529312.2 | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN203398032U | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 宋明歆;吴蕊 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | H01H59/00 | 分类号： | H01H59/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 张宏威 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 基于光子晶体的RF-MEMS开关，涉及一种RF-MEMS开关，本实用新型为解决现有RF-MEMS工作频率范围固定，信号传输过程中回波损耗较大，对信号有较强干扰，降低开关工作效率的问题。本实用新型包括硅衬底、二氧化硅层、两个Al电极、介质层、金属电极和传输线；二氧化硅层完全覆盖在硅衬底的上表面上；二氧化硅层的上表面的两侧分别覆有一个Al电极；金属电极为n型，金属电极的两端安装在Al电极的上表面上；介质层覆在二氧化硅层的上表面的中间；二氧化硅层和介质层的中间覆有传输线；介质层为光子晶体结构，包括Si3N4介质层和SiO2介质层，两种介质层并行交替排列。本实用新型用于RF-MEMS开关。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 光子 晶体 rf mems 开关 | ||
【主权项】：
基于光子晶体的RF‑MEMS开关，其特征在于，它包括硅衬底（1）、二氧化硅层（2）、两个Al电极（3）、介质层（4）、金属电极（5）和传输线（6）；硅衬底（1）位于最下端，二氧化硅层（2）完全覆盖在硅衬底（1）的上表面上；二氧化硅层（2）的上表面的两侧分别覆有一个Al电极（3）；金属电极（5）为n型，金属电极（5）的两端安装在Al电极（3）的上表面上；介质层（4）覆在二氧化硅层（2）的上表面的中间，介质层（4）与二氧化硅层（2）的宽相同，介质层（4）与二氧化硅层（2）的中心重合；二氧化硅层（2）和介质层（4）的中间覆有传输线（6）；所述介质层（4）为光子晶体结构，该光子晶体结构包括Si3N4介质层和SiO2介质层，并且Si3N4介质层和SiO2介质层并行交替排列。
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