[实用新型]基于光子晶体的RF-MEMS开关

权利要求书

1.基于光子晶体的RF-MEMS开关，其特征在于，它包括硅衬底（1）、二氧化硅层（2）、两个Al电极（3）、介质层（4）、金属电极（5）和传输线（6）；硅衬底（1）位于最下端，二氧化硅层（2）完全覆盖在硅衬底（1）的上表面上；二氧化硅层（2）的上表面的两侧分别覆有一个Al电极（3）；金属电极（5）为n型，金属电极（5）的两端安装在Al电极（3）的上表面上；介质层（4）覆在二氧化硅层（2）的上表面的中间，介质层（4）与二氧化硅层（2）的宽相同，介质层（4）与二氧化硅层（2）的中心重合；二氧化硅层（2）和介质层（4）的中间覆有传输线（6）；

所述介质层（4）为光子晶体结构，该光子晶体结构包括Si₃N₄介质层和SiO₂介质层，并且Si₃N₄介质层和SiO₂介质层并行交替排列。

2.根据权利要求1所述基于光子晶体的RF-MEMS开关，其特征在于，Si₃N₄介质层和SiO₂介质层并行交替排列，所述Si₃N₄介质层的宽度为25μm。

3.根据权利要求1所述基于光子晶体的RF-MEMS开关，其特征在于，Si₃N₄介质层和SiO₂介质层并行交替排列，所述SiO₂介质层的宽度为25μm。

4.根据权利要求1所述基于光子晶体的RF-MEMS开关，其特征在于，所述金属电极（5）为n型，两端为Al柱，上面悬挂的Al梁能够沿着Al柱上下移动。

5.根据权利要求1所述基于光子晶体的RF-MEMS开关，其特征在于，所述传输线（6）为CPW共面波导。