[实用新型]反应腔室和干法刻蚀设备有效
| 申请号： | 201320516223.4 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN203466163U | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 董康旭;侯智;吴代吾;刘祖宏;刘轩;毛晓伟;焦建超 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种反应腔室，用于对基板进行干法刻蚀，该反应腔室包括：反应腔体、相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极竖直固定在所述反应腔体内，所述第一电极和所述第二电极之间产生电场。在该反应腔室内，第一电极与第二电极竖直放置，在进行干法刻蚀时，不仅可以同时对两块基板进行刻蚀，增加了刻蚀效率，而且可以保护电极不受等离子体的刻蚀，间接的提高了等离子体的利用率。同时由于被刻蚀基板为竖直放置，进而可减小微粒落在基板表面的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
一种反应腔室，用于对基板进行干法刻蚀，其特征在于，包括：反应腔体、相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极竖直固定在所述反应腔体内，所述第一电极和所述第二电极之间产生电场。
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