[实用新型]反应腔室和干法刻蚀设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示领域，特别涉及一种反应腔室和干法刻蚀设备。

背景技术

在基板的生产过程中，需要在基板上构成引线、彩膜、黑矩阵、绝缘层等“图案”，而由于“图案”数量极多，且很精细，则不能通过机械加工方法来现实，在现有技术中，一般通过光刻构图工艺来实现“图案”的绘制。

在光刻构图工艺中，通常采用干法刻蚀的方法来把光刻胶的图形“转移”到下面的材料上。干法刻蚀是一种各向异性刻蚀方法，可用于细微线宽的刻蚀，同时还可以通过对刻蚀量的调节得到刻蚀所需要的坡度角。

干法刻蚀在的反应腔室中完成，现有的反应腔室通常分为上部电极和下部电极，上部电极和下部电极中的一个作为阳极，另一个作为阴极。反应气体通过上部电极的细小孔进入到反应腔体内，而需要刻蚀的基板固定在下部电极处，通过施加高频电压，使通入的反应气体产生等离子体，其中活性基和离子与基板上物质进行反应，从而达到刻蚀的目的。

但是在现有技术中，上部电极会暴露在等离子体环境中，因此上部电极必须使用耐电压的氧化铝等材料进行保护。可是，反应腔室经过一定时间的刻蚀，上部电极的表面的保护层会被正常刻蚀掉，进而使得上部电极失去作用，上部电极必须进行更换重新氧化。

在现有技术的反应腔室中，由于很大一部分离子和活性基会消耗在上部电极，使得现有技术中的刻蚀设备对离子体的利用率较低，同时，不停得更换新的上部电极不但影响设备的正常生产，还会大大增加成本。

实用新型内容

本实用新型提供一种反应腔室和干法刻蚀设备，该反应腔室可保护电极不受等离子体的刻蚀，同时该反应腔室可有效提高等离子体的利用率。

为实现上述目的，本实用新型提供一种反应腔室，用于对基板进行干法刻蚀，该反应腔室包括：反应腔体、相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极竖直固定在所述反应腔体内，所述第一电极和所述第二电极之间产生电场。

可选地，所述反应腔体的顶部和/或底部设置有向所述反应腔体通入反应气体的进气装置。

可选地，还包括：分别设置于所述第一电极和第二电极上的固定装置，所述固定装置用于固定所述基板。

可选地，所述固定装置上形成有排气孔，所述反应腔体内的气体通过所述排气孔排出。

可选地，所述固定装置的内壁设置有若干个卡夹，所述卡夹用于卡住所述基板的边缘以使所述基板与固定装置之间固定。

可选地，所述反应腔体的底部设置有将所述基板竖直载入至所述反应腔体内部的导轨，所述导轨与所述固定装置接触。

可选地，还包括：保护部件，所述保护部件围绕于所述第一电极和所述第二电极的侧面，所述保护部件与所述第一电极和所述第二电极的侧面接触。

可选地，所述第一电极连接高频电源，所述第二电极接地；或，所述第二电极连接有高频电源，所述第一电极接地。

可选地，位于所述第一电极且背向所述第二电极的面上形成有线圈，所述线圈连接高频电源，所述第一电极接地，所述第二电极接地；或位于所述第二电极且背向所述第一电极的面上形成有线圈，所述线圈连接高频电源，所述第二电极接地，所述第一电极接地。

为实现上述目的，本实用新型提供一种干法刻蚀设备，包括：反应腔室，所述反应腔室采用上述的反应腔室。

本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型提供一种反应腔室和干法刻蚀设备，在反应腔室内第一电极与第二电极竖直放置，在进行干法刻蚀时，不仅可以同时对两块基板进行刻蚀，增加了刻蚀效率，而且可以保护电极不受等离子体的刻蚀，间接的提高了等离子体的利用率。同时由于被刻蚀的基板也为竖直放置，进而可减小微粒落在基板表面的概率。

附图说明

图1为本实用新型提供的反应腔室的结构示意图；

图2为图1的A-A向截面图；

图3为图1的B-B向截面图；

图4为基板置于反应腔体内的示意图；

图5为本实施例一提供的反应腔室利用电容耦合放电式的结构示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型提供的一种反应腔室和干法刻蚀设备进行详细描述。

实施例一

图1为本实用新型提供的反应腔室的结构示意图，图2为图1的A-A向截面图，图3为图1的B-B向截面图，图4为基板置于反应腔体内的示意图，如图1至图4所示，该反应腔室可以用于进行干法刻蚀，该反应腔室包括：反应腔体3、相对设置的第一电极1和第二电极2，第一电极1和第二电极2竖直固定在反应腔体3内，第一电极1和第二电极2之间产生电场。