[实用新型]一种设置有低温uGaN层的发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201320493058.5 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN203367344U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 芦玲;张向飞;钱仁海;刘坚 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 谢观素 |
| 地址： | 223001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种设置有低温uGaN层的发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、uGaN层（3）、nGaN层（4）、MQW发光层（5）以及pGaN层（6），所述uGaN层（3）包括成核层（31）、三维生长层（32）、二维生长层A（33）、低温uGaN层（34）、二维生长层B（35），本实用新型有效解决传统外延片抗静电能力差，从而导致芯片击穿和发光效率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 设置 低温 ugan 发光二极管 外延 | ||
【主权项】：
一种设置有低温uGaN层的发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、uGaN层（3）、nGaN层（4）、MQW发光层（5）以及pGaN层（6），其特征在于：所述uGaN层（3）包括成核层（31）、三维生长层（32）、二维生长层A（33）、低温uGaN层（34）、二维生长层B（35）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，未经淮安澳洋顺昌光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320493058.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种通用型面光源COB基板的围坝夹具
- 下一篇：一种发光二极管外延片发光层
