[实用新型]一种设置有低温uGaN层的发光二极管外延片

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED外延片技术领域，具体涉及一种设置有低温uGaN层的发光二极管外延片。

背景技术

目前，蓝绿光发光二极管的主流是在蓝宝石或碳化硅衬底上生长GaN材料，其中绝大部分采用蓝宝石作为衬底，由于蓝宝石衬底与GaN材料之间较大的晶格失配与热失配，导致GaN外延层内产生高密度的缺陷，例如穿透位错。实验证明这些缺陷是III族氮化物基发光二极管中反向漏电电流产生的一个重要途径。现有的外延片在uGaN层生产过程中，通常是在包括成核层、三维生长层（32）、二维生长层，但是这种生长顺序，不利于发光二极管的ESD抗静电能力。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种设置有低温uGaN层的发光二极管外延片，该技术方案有效解决传统外延片抗静电能力差，从而导致芯片击穿和发光效率低的问题。

本实用新型通过以下技术方案实现：

一种设置有低温uGaN层的发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、uGaN层（3）、nGaN层（4）、MQW发光层（5）以及pGaN层（6），其特征在于：所述uGaN层（3）包括成核层（31）、三维生长层（32）、二维生长层A（33）、低温uGaN层（34）、二维生长层B（35）。

本实用新型进一步技术改进方案是：

所述低温uGaN层（34）的厚度为200nm。

本实用新型与现有技术相比，具有以下明显优点：本实用新型在传统外延片uGaN层的二维生长层生长完后继续生长一层低温uGaN层，可显著降低芯片瞬间放电产生的瞬间电流的密度，从而提高发光二极管ESD抗静电能力。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图1中1为蓝宝石衬底层、2为Buffer—缓冲层、3为uGaN层、4为nGaN、5为MQW发光层、6为pGaN层；

图2为本实用新型uGaN层结构示意图。

具体实施方式

如图1、2所示，本实用新型包括蓝宝石衬底层1、Buffer—缓冲层2、uGaN层3、nGaN层4、MQW发光层5以及pGaN层6，所述uGaN层3包括成核层31、三维生长层32、二维生长层A33、低温uGaN层34、二维生长层B35，所述低温uGaN层34的厚度为200nm。

本实用新型未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。