[实用新型]氮化铟/氮化镓/玻璃结构有效
| 申请号： | 201320423567.0 | 申请日： | 2013-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN203697610U | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 鞠振河;郑洪;张东 | 申请（专利权）人： | 辽宁太阳能研究应用有限公司 |
| 主分类号： | B32B17/06 | 分类号： | B32B17/06;B32B9/04;C23C16/34;C23C16/50;C30B29/38;C30B25/02;C30B25/18 |
| 代理公司： | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 | 代理人： | 史旭泰 |
| 地址： | 110136 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型属于新型光电材料技术领域，提供一种电学性能良好、稳定性好且成本低的氮化铟/氮化镓/玻璃结构。本实用新型包括玻璃基片，其结构要点玻璃基片上沉积有GaN缓冲层薄膜，GaN缓冲层薄膜上沉积有InN光电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 玻璃 结构 | ||
【主权项】：
氮化铟/氮化镓/玻璃结构，包括玻璃基片，其特征在于玻璃基片上沉积有GaN缓冲层薄膜，GaN缓冲层薄膜上沉积有InN光电薄膜；所述玻璃基片为康宁玻璃基片；所述InN光电薄膜的厚度为400nm～2μm；所述GaN缓冲层薄膜的厚度为50nm～300nm；所述玻璃基片的厚度为0.2mm～0.8mm。
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