[实用新型]一种硅基GaN外延生长结构有效
| 申请号： | 201320411968.4 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN203367337U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 罗锦贵 | 申请（专利权）人： | 四川海金汇光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 冉鹏程 |
| 地址： | 629300*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅基GaN外延生长结构，包括硅衬底、缓冲层、第一N型GaN层、第二N型GaN层、多量子阱层、第一P型GaN层和第二P型GaN层，所述缓冲层覆盖在硅衬底上，第一N型GaN层覆盖在缓冲层上，第二N型GaN层覆盖在第一N型GaN层上，多量子阱层覆盖在第二N型GaN层上，第一P型GaN层覆盖在多量子阱层上，第二P型GaN层覆盖在第一P型GaN层上。本实用新型的结构具有高可靠性、高亮度的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 外延 生长 结构 | ||
【主权项】：
一种硅基GaN外延生长结构，其特征在于：包括硅衬底（7）、缓冲层（6）、第一N型GaN层（5）、第二N型GaN层（4）、多量子阱层（3）、第一P型GaN层（2）和第二P型GaN层（1），所述缓冲层（6）覆盖在硅衬底（7）上，第一N型GaN层（5）覆盖在缓冲层（6）上，第二N型GaN层（4）覆盖在第一N型GaN层（5）上，多量子阱层（3）覆盖在第二N型GaN层（4）上，第一P型GaN层（2）覆盖在多量子阱层（3）上，第二P型GaN层（1）覆盖在第一P型GaN层（2）上。
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