[实用新型]一种硅基GaN外延生长结构

权利要求书

1.一种硅基GaN外延生长结构，其特征在于：包括硅衬底（7）、缓冲层（6）、第一N型GaN层（5）、第二N型GaN层（4）、多量子阱层（3）、第一P型GaN层（2）和第二P型GaN层（1），所述缓冲层（6）覆盖在硅衬底（7）上，第一N型GaN层（5）覆盖在缓冲层（6）上，第二N型GaN层（4）覆盖在第一N型GaN层（5）上，多量子阱层（3）覆盖在第二N型GaN层（4）上，第一P型GaN层（2）覆盖在多量子阱层（3）上，第二P型GaN层（1）覆盖在第一P型GaN层（2）上。

2.根据权利要求1所述的一种硅基GaN外延生长结构，其特征在于：所述缓冲层（6）为二氧化硅缓冲层，二氧化硅缓冲层的单晶晶格处于硅单晶与GaN晶格之间。

3.根据权利要求1或2所述的一种硅基GaN外延生长结构，其特征在于：所述缓冲层（6）的厚度为30nm-50nm。

4.根据权利要求1所述的一种硅基GaN外延生长结构，其特征在于：所述第一N型GaN层（5）的厚度为90nm-110nm，第一N型GaN层（5）是掺杂硅的浓度为5×10²⁰/cm³的N型GaN层。

5.根据权利要求1所述的一种硅基GaN外延生长结构，其特征在于：所述第二N型GaN层（4）的厚度为1.0μm -1.5μm，第二N型GaN层（4）是掺杂硅的浓度为5×10²²/cm³的N型GaN层。

6.根据权利要求1所述的一种硅基GaN外延生长结构，其特征在于：所述多量子阱层（3）的厚度为5nm-50nm。

7.根据权利要求1所述的一种硅基GaN外延生长结构，其特征在于：所述第一P型GaN层（2）的厚度为10nm-50nm，第一P型GaN层（2）是掺杂镁的浓度为5×10²⁰/cm³的P型GaN层。

8.根据权利要求1所述的一种硅基GaN外延生长结构，其特征在于：所述第二P型GaN层（1）的厚度为10nm-150nm，第二P型GaN层（1）是掺杂镁的浓度为5×10²²/cm³的P型GaN层。