[实用新型]半导体镀膜设备用不同高度的销有效
申请号: | 201320288527.X | 申请日: | 2013-05-23 |
公开(公告)号: | CN203351572U | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 吴凤丽;聂文远;国建花 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃 |
地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 半导体镀膜设备用不同高度的销,主要针对现有技术存在的不能很好的解决不同支撑点处销高度不等的问题,而提供一种可通过在各支撑点处采用多个结构相同但高度不同的销,来实现各支撑点处的高度一致的技术问题。该结构通过更换不同高度的销,来实现各支撑点处销的高度一致,确保晶圆的正常传输。销主体部分的上端部为圆锥结构,顶端面为球面结构;上述销的主体部分的顶端面与上端部之间设有过渡区,过渡区及上端部与销的主体部分之间的衔接处均为圆角结构;销的主体部分的下端面是半球面结构。该方法中销的高度按照其基准值,上、下各设定2个高度差,即总计5个高度的销就能满足设备的使用要求。本实用新型与现有技术相比更具合理性,其零部件精度要求相对不高,结构简单。 | ||
搜索关键词: | 半导体 镀膜 备用 不同 高度 | ||
【主权项】:
一种半导体镀膜设备用不同高度的销,包括销的主体部分(3),销的主体部分(3)为圆柱体,其特征在于:销的主体部分(3)的上端部(2)为圆锥结构,顶端面(1)为球面结构,上述销的主体部分(3)的顶端面(1)与上端部(2)之间设有过渡区(5),过渡区(5)及上端部(2)与销的主体部分(3)之间的衔接处(6)均为圆角结构;销的主体部分(3)的下端面(4)是半球面结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳拓荆科技有限公司,未经沈阳拓荆科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320288527.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种分段式回转支承
- 下一篇:一种用于加固液晶显示器的固定装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造