[实用新型]半导体镀膜设备用不同高度的销有效
申请号: | 201320288527.X | 申请日: | 2013-05-23 |
公开(公告)号: | CN203351572U | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 吴凤丽;聂文远;国建花 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃 |
地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 镀膜 备用 不同 高度 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种半导体镀膜设备用不同高度的销。确切地说是为了实现相同的目的,并且从而简化操作而采用的结构相同但高度不同的新型销,属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。
背景技术
现有的半导体镀膜设备,尤其是12英寸半导体镀膜设备中,应用多种形式的支撑和提升晶圆的销(Pin),但对销的要求是一致的,即在晶圆的传输过程中,销升降系统在提升过程中,都要确保各支撑点处的销要升降顺畅,无倾斜、卡滞等任何异常现象存在。同时,也要保证在到达使用高度要求时,各支撑点处销的最高点的高度一致。从而确保晶圆落下时,整个晶圆是处于同一水平面上,不会有倾斜、滑片等异常现象出现。如果不同支撑点处的销在高度方面存有差异,会导致各支撑点处销的最高位置有差异,这样,晶圆所处的状态始终不是水平的。轻则倾斜,重则滑片,均可以导致晶圆传送失败。由于整个设备安装过程中肯定存有误差,加上销升降系统在升降过程中也存有误差。另外,因为整个系统的工作环境为真空高温状态,所以在工作状态时,销支板等器件均会存有变形。这些外界因素均会导致各支撑点处的销的高度出现差异,如果销的高度不调整一致,肯定会导致晶圆传送失败。单一从机械零部件安装的水平度等方面调整,除了拆装、调整过程操作繁琐外,伴随着设备的运行,变形、误差等因素会始终存在,均不能从根本上解决晶圆传送失败的问题。
发明内容
本实用新型的目的是针对上述现有技术存在的不能很好的解决不同支撑点处销高度不等的问题,而提供一种可通过在各支撑点处采用多个结构相同但高度不同的销,来实现各支撑点处的高度一致的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型采用下述技术方案:半导体镀膜设备用不同高度的销,包括销的主体部分(3),销的主体部分(3)为圆柱体,上述销的主体部分(3)的上端部(2)为圆锥结构,顶端面(1)为球面结构;上述销的主体部分(3)的顶端面(1)与上端部(2)之间设有过渡区(5),过渡区(5)及上端部(2)与销的主体部分(3)之间的衔接处(6)均为圆角结构;销的主体部分(3)的下端面(4)是半球面结构。
不同高度的半导体镀膜设备用销的使用方法,该方法在实际应用中根据各支撑点处销的实际高度来调换相应高度的销,使各支撑点处销的高度一致,确保晶圆的正常传输。根据实际使用情况,该销的高度按照其基准值,上、下各设几个高度值,该方法中销的高度按照其基准值,上、下高度差值设定为0.1mm、0.2mm、0.3mm不等,根据实际需要,上、下各设定多个高度差,即多个不同高度的销就能满足设备的使用要求。根据实际需要,一般上、下各设定2个高度差,即总计5个高度的销就能满足设备的使用要求。该销采用陶瓷材质,销的上顶端部分为圆锥结构,顶端面为球面结构,利于在与晶圆接触时为相切状态,减少接触面积。销的下部分为圆柱结构,保持有一定的直线度。销的下端面也为球面结构,以保证在与销支板接触时为点接触,减少接触阻力。在使用时,根据各支撑点处销的实际高度来调换相应高度的销,使各支撑点处销的高度一致,确保晶圆的正常传输。
工作时,本实用新型作为一个零件来实现晶圆在传输过程中升降时的支撑功能。整个升降销(Lift Pin)系统中,共有3支销,均匀分布在同加热器基座同心的圆周上,共同实现对晶圆的支撑。销上顶面与晶圆接触,成相切状态。随着销的降落,最终,整个销下落在加热器的销孔内,并随加热器一起升降。
本实用新型的有益效果是:该结构能够更好的实现销在晶圆传输过程中的性能要求,而且与现有技术相比更具合理性,其零部件精度要求相对不高,结构简单,通过更换不同高度的销,来实现各支撑点处销的高度一致,从而实现对晶圆的水平支撑。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
实施例
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造