[实用新型]一种芯片防静电封装结构有效
| 申请号： | 201320264287.X | 申请日： | 2013-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN203218258U | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 刘新;王艳超;刘新宇;赵鼎;纪磊;王宇;弓建荣;王银鑫;孟颖;郭世星;郭世龙 | 申请（专利权）人： | 刘新 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 014010 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种芯片防静电封装结构，在芯片本体外部从内到外依次设置真空层、陶瓷层和金属层，芯片接脚被陶瓷层包裹，金属层设置接地脚。由于芯片本体外部设置真空层、陶瓷层和金属层的多层封装防护结构，可以保护芯片本体免受外界电磁及静电的干扰。芯片接脚被陶瓷层包裹，可以避免和金属层接触，不影响芯片的正常性能。在金属层上设置的接地脚可以将金属层表面积累的静电导出释放。本实用新型设计巧妙，通过简单的多层封装结构对芯片采取防静电措施，生产成本低，安全可靠，在不影响芯片正常性能的前提下，大大提高了芯片的防静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 静电 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种芯片防静电封装结构，其特征是：在芯片本体（1）外部从内到外依次设置真空层（2）、陶瓷层（3）和金属层（4），芯片接脚（5）被陶瓷层（3）包裹，金属层（4）上设置接地脚（6）。
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