[实用新型]一种芯片防静电封装结构有效

专利信息
申请号: 201320264287.X 申请日: 2013-05-15
公开(公告)号: CN203218258U 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 刘新;王艳超;刘新宇;赵鼎;纪磊;王宇;弓建荣;王银鑫;孟颖;郭世星;郭世龙 申请(专利权)人: 刘新
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 014010 内蒙古自治区*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 静电 封装 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种芯片防静电技术,具体为一种芯片防静电封装结构。

背景技术

静电是物体表面带有的静止电荷。静电是一种电能,是正负电荷在局部范围内失去平衡的结果,是通过电子的转移而形成的。静电放电是具有不同静电电位的物体在接近或者直接接触时,发生的电荷转移。电子元件的防静电能力直接关系到其能否正常使用。

芯片是集合多种电子元器件以实现特定功能的电路模块,是电子设备中最重要的部分,承担着运算和存储的功能。静电对芯片的危害极大,防护不当极容易导致芯片的静电击穿或者损坏。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种芯片防静电封装结构,不同于通常芯片设置防静电电路技术,同样可以解决芯片的防静电问题。

技术解决方案:本实用新型中在芯片本体外部从内到外依次设置真空层、陶瓷层和金属层,芯片接脚被陶瓷层包裹,金属层设置接地脚。

本实用新型中由于芯片本体外部设置真空层、陶瓷层和金属层的多层封装防护结构,可以保护芯片本体免受外界电磁及静电的干扰。芯片接脚被陶瓷层包裹,可以避免和金属层接触,不影响芯片的正常性能。在金属层上设置的接地脚可以将金属层表面积累的静电导出释放。

本实用新型设计巧妙,通过简单的多层封装结构对芯片采取防静电措施,生产成本低,安全可靠,在不影响芯片正常性能的前提下,大大提高了芯片的防静电能力。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

实施例:如图1中所示本实用新型中在芯片本体1外部从内到外依次设置真空层2、陶瓷层3和金属层4,芯片接脚5被陶瓷层3包裹,金属层4设置接地脚6。

芯片本体1外部设置真空层2、陶瓷层3和金属层4的多层封装防护结构,可以保护芯片本体1免受外界电磁及静电的干扰。芯片接脚5被陶瓷层3包裹,避免和金属层4接触,不影响芯片的正常性能。金属层4上设置的接地脚6可以将金属层4表面积累的静电荷导出释放。

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