[实用新型]低噪声压控振荡器偏置电路有效

专利信息
申请号: 201320231971.8 申请日: 2013-05-02
公开(公告)号: CN203206179U 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 李旺 申请(专利权)人: 成都国腾电子技术股份有限公司
主分类号: H03B5/32 分类号: H03B5/32
代理公司: 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 代理人: 袁英
地址: 610041 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种低噪声压控振荡器偏置电路,由恒定电压源、分压电路和滤波电容C1组成,分压电路包括依次串联的电阻R1、第一双极结型晶体管BJT1和第二双极结型晶体管BJT2,R1与BJT1的集电极连接,BJT1的发射极与BJT2的集电极连接,BJT1的集电极与其基极相接,BJT2的集电极与其基极相接;R1与BJT1的基极之间并联第一分压输出支路;BJT1的发射极与BJT2的基极之间并联第二分压输出支路。本实用新型采用基极与集电极短接的BJT管与高值poly电阻串联的结构作为分压单元,与传统的由电阻串联进行分压的偏置电路相比,偏置电路输出噪声较小,且不必在外部加滤波电容,只需在偏置电路内部加小电容即可,可有效减少芯片的管脚,降低成本。
搜索关键词: 噪声 压控振荡器 偏置 电路
【主权项】:
低噪声压控振荡器偏置电路,与压控振荡器配合使用,为频率源电路中的压控振荡器提供偏置,其特征在于:它由恒定电压源、分压电路和滤波电容C1组成,所述的分压电路包括依次串联的电阻R1、第一双极结型晶体管BJT1和第二双极结型晶体管BJT2,电阻R1与第一双极结型晶体管BJT1的集电极连接,第一双极结型晶体管BJT1的发射极与第二双极结型晶体管BJT2的集电极连接,第一双极结型晶体管BJT1的集电极与其基极相接,第二双极结型晶体管BJT2的集电极与其基极相接;电阻R1与第一双极结型晶体管BJT1的基极之间并联第一分压输出支路;第一双极结型晶体管BJT1的发射极与第二双极结型晶体管BJT2的基极之间并联第二分压输出支路;第一分压输出支路与第二分压输出支路并联后与滤波电容C1串接。
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