[实用新型]低噪声压控振荡器偏置电路有效
| 申请号: | 201320231971.8 | 申请日: | 2013-05-02 |
| 公开(公告)号: | CN203206179U | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
| 发明(设计)人: | 李旺 | 申请(专利权)人: | 成都国腾电子技术股份有限公司 |
| 主分类号: | H03B5/32 | 分类号: | H03B5/32 |
| 代理公司: | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
| 地址: | 610041 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 噪声 压控振荡器 偏置 电路 | ||
1.低噪声压控振荡器偏置电路,与压控振荡器配合使用,为频率源电路中的压控振荡器提供偏置,其特征在于:它由恒定电压源、分压电路和滤波电容C1组成,所述的分压电路包括依次串联的电阻R1、第一双极结型晶体管BJT1和第二双极结型晶体管BJT2,电阻R1与第一双极结型晶体管BJT1的集电极连接,第一双极结型晶体管BJT1的发射极与第二双极结型晶体管BJT2的集电极连接,第一双极结型晶体管BJT1的集电极与其基极相接,第二双极结型晶体管BJT2的集电极与其基极相接;
电阻R1与第一双极结型晶体管BJT1的基极之间并联第一分压输出支路;第一双极结型晶体管BJT1的发射极与第二双极结型晶体管BJT2的基极之间并联第二分压输出支路;第一分压输出支路与第二分压输出支路并联后与滤波电容C1串接。
2.根据权利要求1所述的低噪声压控振荡器偏置电路,其特征在于:所述的电阻R1为高值poly电阻。
3.根据权利要求1所述的低噪声压控振荡器偏置电路,其特征在于:所述的第一分压输出支路和第二分压输出支路上分别设有开关。
4.根据权利要求1所述的低噪声压控振荡器偏置电路,其特征在于:所述的第二双极结型晶体管BJT2的发射极和滤波电容C1分别接地。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都国腾电子技术股份有限公司,未经成都国腾电子技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320231971.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





