[实用新型]电场型半导体PN结电流转换结构有效
申请号: | 201320225174.9 | 申请日: | 2013-04-28 |
公开(公告)号: | CN203218302U | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 石艾志 | 申请(专利权)人: | 石艾志 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068 |
代理公司: | 唐山永和专利商标事务所 13103 | 代理人: | 王永红 |
地址: | 064000 河北省唐*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种电流转换装置,特别是一种能够利用外部充电电场的电压,实现PN结强电场较大电流输出的电场型半导体PN结电流转换结构。包括掺杂质的P型半导体和N型半导体,二者的结合处为PN结,P型半导体和N型半导体的外侧平面上分别贴合有一绝缘层,绝缘层的外侧分别贴合有一电极板,电极板分别与源电压连接;P型半导体和N型半导体的外侧平面上分别以矩阵形式引出电流引线,各电流引线通过绝缘层和电极板后汇总为电池的正负输出导线。它结构简单,体积小,重量轻,制作方便,成本低,用途广,可根据实际用途的需要加工成各种规格的产品,转换效果好,适应目前节能减排的需求,适用面广。 | ||
搜索关键词: | 电场 半导体 pn 电流 转换 结构 | ||
【主权项】:
一种电场型半导体PN结电流转换结构,包括掺杂质的P型半导体和N型半导体,二者的结合处为PN结,其特征在于,P型半导体和N型半导体的外侧平面上分别贴合有一绝缘层,绝缘层的外侧分别贴合有一电极板,电极板分别与源电压连接;P型半导体和N型半导体的外侧平面上分别以矩阵形式引出电流引线,各电流引线通过绝缘层和电极板后汇总为电池的正负输出导线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的