[实用新型]电场型半导体PN结电流转换结构

权利要求书

1.一种电场型半导体PN结电流转换结构，包括掺杂质的P型半导体和N型半导体，二者的结合处为PN结，其特征在于，P型半导体和N型半导体的外侧平面上分别贴合有一绝缘层，绝缘层的外侧分别贴合有一电极板，电极板分别与源电压连接；P型半导体和N型半导体的外侧平面上分别以矩阵形式引出电流引线，各电流引线通过绝缘层和电极板后汇总为电池的正负输出导线。

2.根据权利要求1所述的电场型半导体PN结电流转换结构，其特征在于， P型半导体和N型半导体中，靠近负电位电极板的半导体的厚度是0.1-2微米，靠近零电位或正电位电极板的半导体的厚度是3-1000微米。

3.根据权利要求1所述的电场型半导体PN结电流转换结构，其特征在于，所述N型半导体和P型半导体均为薄片型结构。

4.根据权利要求1所述的电场型半导体PN结电流转换结构，其特征在于，P型半导体与N型半导体外侧平面上的电流引线以0.5-3mm间距的矩阵形式排布。

5.根据权利要求1所述的电场型半导体PN结电流转换结构，其特征在于，所述电极板为金属薄板或覆铜板中的一种，其厚度为0.5-10mm；电极板板面上设置有分别与电流引线相对应的穿线孔，穿线孔的内壁固接有绝缘层。

6.根据权利要求1所述的电场型半导体PN结电流转换结构，其特征在于，所述绝缘层的厚度为0.1-1.2微米，其耐压为10-100V。

7.根据权利要求1-6之一所述的电场型半导体PN结电流转换结构，其特征在于，与P型半导体外侧绝缘层贴合的电极板与源电压的负极连接，与N型半导体外侧绝缘层贴合的电极板与源电压的正极或零电位连接。

8.根据权利要求1-6之一所述的电场型半导体PN结电流转换结构，其特征在于，与N型半导体外侧绝缘层贴合的电极板与源电压的负极连接，与P型半导体外侧绝缘层贴合的电极板与源电压的正极或零电位连接。

9.根据权利要求1-6之一所述的电场型半导体PN结电流转换结构，其特征在于，P型半导体和N型半导体的半导体材料为硅、砷化镓或磷化镓中的一种，其掺杂浓度均在2×10⁹-10¹⁰之间。