[实用新型]绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201320220862.6 | 申请日： | 2013-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN203456468U | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 弗兰克·普菲尔什;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;霍尔格·豪斯肯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：发射极；以及半导体主体，其中所述半导体主体包括：第一基区，具有第一导电类型；源区，具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，并与所述第一基区形成第一pn结；防闩锁区（P+），形成在所述第一基区中，具有至少一个位于所述源区之下并与所述源区接触的第一部分，所述防闩锁区具有所述第一导电类型，并且掺杂浓度大于所述第一基区的掺杂浓度；以及至少一个沟槽，其中，所述至少一个沟槽被填充有栅电极，其中，所述至少一个沟槽具有：第一沟槽部，具有第一宽度；以及第二沟槽部，具有第二宽度；所述第二宽度不同于所述第一宽度。通过本实用新型的技术方案，防止了IGBT发生闩锁效应。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管（200，300，400，600），其特征在于，包括： 发射极（29，39）；以及 半导体主体，其中所述半导体主体包括： 第一基区（24，34，44），具有第一导电类型； 源区（25，35，45），具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，并与所述第一基区（24，34）形成第一pn结； 防闩锁区（P+），形成在所述第一基区（24，34，44）中，具有至少一个位于所述源区（25，35，45）之下并与所述源区（25，35，45）接触的第一部分，所述防闩锁区（P+）具有所述第一导电类型，并且掺杂浓度大于所述第一基区（34）的掺杂浓度；以及 栅极，形成在栅极沟槽中，其中，所述栅极沟槽被填充有栅电极，其中，所述栅极沟槽具有：第一沟槽部（261），具有第一宽度；以及第二沟槽部（262），具有第二宽度；所述第二宽度不同于所述第一宽度。
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