[实用新型]绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管（200，300，400，600），其特征在于，包括： 

发射极（29，39）；以及 

半导体主体，其中所述半导体主体包括： 

第一基区（24，34，44），具有第一导电类型； 

源区（25，35，45），具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，并与所述第一基区（24，34）形成第一pn结； 

防闩锁区（P+），形成在所述第一基区（24，34，44）中，具有至少一个位于所述源区（25，35，45）之下并与所述源区（25，35，45）接触的第一部分，所述防闩锁区（P+）具有所述第一导电类型，并且掺杂浓度大于所述第一基区（34）的掺杂浓度；以及 

栅极，形成在栅极沟槽中，其中，所述栅极沟槽被填充有栅电极，其中，所述栅极沟槽具有：第一沟槽部（261），具有第一宽度；以及第二沟槽部（262），具有第二宽度；所述第二宽度不同于所述第一宽度。 

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管（200，300，400，600），其特征在于，所述防闩锁区（P+）与所述发射极（29，292，39，392）接触。 

3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管（200，300，400，600），其特征在于，所述防闩锁区（P+）具有与源区（25，35，45）横向相邻的第二部。 

4.根据权利要求3所述的绝缘栅双极型晶体管（200，300，400，600），其特征在于，所述第一基区的一部分横向方向位于所述防闩锁区（P+）的第二部分和所述栅极沟槽之间。 

5.根据权利要求1至4中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（200，300，400，600），其特征在于，所述第一基区的一部分横向方向位于所述防闩锁区（P+）的第一部分和所述栅极沟槽之间。 

6.根据权利要求5所述的绝缘栅双极型晶体管（200，300，400，），其特征在于，所述防闩锁区（P+）与所述栅极沟槽之间的距离为100nm-800nm。 

7.根据权利要求1至4中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（300），其特征在于，所述防闩锁区（P+）的至少一部分与所述栅极沟槽的绝缘部（27）接触，所述绝缘部（27）将所述栅电极（26）至少与所述源区（25）和所述第一基区（24，34）绝缘。 

8.根据权利要求1至4中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（300），其特征在于，所述源区（25，35，45）包括第一源区和第二源区，其中，所述防闩锁区（P+）的第二部分和所述第一基区（24，34）的在所述发射极侧的表面的一部分位于所述发射极侧的所述第一源区的表面和所述第二源区的表面之间。 

9.根据权利要求1至4中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（200），其特征在于，所述源区（25，35，45）沿着所述第一方向的宽度为0.5μm-3μm。 

10.根据权利要求1至4中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（300），其特征在于， 

所述防闩锁区（P+）形成有凹槽（G1，G2），其中，所述凹槽（G1，G2）被填充有所述发射极（29，39）的一部分，使得所述发射极与所述源区（25，35，45）和所述防闩锁区（P+）接触。 

11.根据权利要求10所述的绝缘栅双极型晶体管（300），其特征在于， 

所述凹槽（G1，G2）的深度至少等于所述防闩锁区（P+）的第一部分和所述源区（25，35，45）之间的pn结的深度。 

12.根据权利要求10所述的绝缘栅双极型晶体管（200，300），其特征在于，所述凹槽（G1，G2）在与所述栅极沟槽的延伸方向相同的方向延伸。 

13.根据权利要求10所述的绝缘栅双极型晶体管（300），其特征在于， 

介电层（28）位于所述发射极（29，39）和所述半导体主体之间； 

所述发射极（29，39）包括： 

第一发射极部分（291，391），位于所述介电层（28）之上；以及 

第二发射极部分（292，392），穿过所述介电层（28），从所述第一发射极部分（291，391）延伸至所述凹槽（G1，G2）中。