[实用新型]发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201320188951.7 | 申请日： | 2013-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN203165931U | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 杨恕帆;吴俊毅 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种发光二极管芯片，其至少包括：下电极；基板，位于所述下电极之上；嵌入式金属反射层，位于所述基板之上，由平面状金属反射层和触角状金属反射层构成；发光外延层，位于所述金属反射层之上，其至少包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；以及上电极，位于所述发光外延层之上，其特征在于：金属反射层至少部分嵌入发光外延层，且与发光外延层之间存有空气间隙。此结构可以有效提高器件的取光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，包括：下电极；基板，位于所述下电极之上；嵌入式金属反射层，位于所述基板之上，由平面状金属反射层和触角状金属反射层构成；发光外延层，位于所述金属反射层之上，其至少包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；以及上电极，位于所述发光外延层之上，其特征在于：金属反射层至少部分嵌入发光外延层，且与发光外延层之间存有空气间隙。
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