[实用新型]发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，包括：下电极；基板，位于所述下电极之上；嵌入式金属反射层，位于所述基板之上，由平面状金属反射层和触角状金属反射层构成；发光外延层，位于所述金属反射层之上，其至少包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；以及上电极，位于所述发光外延层之上，其特征在于：金属反射层至少部分嵌入发光外延层，且与发光外延层之间存有空气间隙。

2.一种发光二极管芯片，包括：下电极；基板，位于所述下电极之上；嵌入式金属反射层，位于所述基板之上，由平面状金属反射层和触角状金属反射层构成；窗口层，位于所述金属反射层之上；发光外延层，位于所述窗口层之上，其至少包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；以及上电极，位于所述发光外延层之上，其特征在于：金属反射层至少部分嵌入窗口层，且与窗口层之间存有空气间隙。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述嵌入式金属反射层用于增进电流密度均匀散布，降低发光二极管操作电压，增加光萃取率。

4.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述空气间隙的部分填充有透光层。

5.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述触角状金属反射层的图形为棱柱型、圆柱型、半球型、椭球型、锲型、倒角锥型、棱台型或前述的组合之一。

6.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述金属反射层嵌入的深度小于5μm。

7.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述金属反射层嵌入的接触面积大于剩余表面积。

8.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述基板为Si基板、Al₂O₃基板、AlN基板、PCB基板、MCPCB基板或前述的组合之一。

9.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述金属反射层与基板之间还设有一键合层。

10.一种照明系统或显示系统，其特征在于：其包含一系列前述权利要求1~9所述的任意一种发光二极管芯片。