[实用新型]功率半导体器件有效
| 申请号： | 201320143758.1 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN203288595U | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 顾悦吉;闻永祥;刘琛;刘慧勇 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市(*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种功率半导体器件，包括：N型掺杂的半导体衬底，该半导体衬底的晶向为<100>；位于半导体衬底正面上的纵向掺杂均匀的第一外延层，第一外延层的掺杂类型和掺杂浓度与半导体衬底相同，半导体衬底和第一外延层共同作为IGBT器件的场截止区；位于第一外延层正面上的第二外延层，第二外延层的掺杂类型与第一外延层相同，第二外延层的掺杂浓度低于第一外延层；IGBT器件的基区、发射区、栅介质层和栅极结构，形成于所述第二外延层的正面；P型掺杂的集电区，位于所述场截止区的背面。本实用新型有利于降低IGBT器件的场截止区的制造难度，并能够避免碎片率高等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，其特征在于，包括： N型掺杂的半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的正面和背面，所述半导体衬底的晶向为<100>； 位于所述半导体衬底正面上的纵向掺杂均匀的第一外延层，所述第一外延层的掺杂类型和掺杂浓度与所述半导体衬底相同，所述半导体衬底和第一外延层共同作为IGBT器件的场截止区； 位于所述第一外延层正面上的第二外延层，所述第二外延层的背面与所述第一外延层的正面贴合，所述第二外延层的掺杂类型与所述第一外延层相同，所述第二外延层的掺杂浓度低于所述第一外延层； IGBT器件的基区、发射区、栅介质层和栅极结构，形成于所述第二外延层的正面，所述发射区是N型掺杂的，所述基区是P型掺杂的； P型掺杂的集电区，位于所述场截止区的背面。
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