[实用新型]绝缘栅型双极晶体管有效
| 申请号： | 201320123024.7 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN203134807U | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 张文亮;朱阳军;田晓丽;胡爱斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种绝缘栅型双极晶体管，包括：第一导电类型的漂移区、第一导电类型高浓度掺杂微穿通层、第二导电类型的集电极、第一导电类型的发射极、第二导电类型的基区、第二导电类型低掺杂浓度的浮空区、沟道栅极及假栅极；所述假栅极呈柱状结构或条状结构，且条状结构的宽度小于栅极沟槽的宽度。本实用新型提供的绝缘栅型双极晶体管，通过减小假栅沟槽宽度或改变其形状，来减小假栅沟槽区所占芯片面积，进而减小沟槽区域所占面积与芯片总面积的比例，不仅能减小硅片的翘曲度，还可以有效减小器件的寄生电容，减小器件开关时间及开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅型双极晶体管，其特征在于，包括：第一导电类型的漂移区、第一导电类型高浓度掺杂微穿通层、第二导电类型的集电极、第一导电类型的发射极、第二导电类型的基区、第二导电类型低掺杂浓度的浮空区、沟道栅极及假栅极；所述第一导电类型的漂移区通过所述第一导电类型高浓度掺杂微穿通层与所述第二导电类型的集电极连接；所述第一导电类型的漂移区通过第二导电类型的基区与所述第一导电类型的发射极连接；所述沟道栅极与所述第一导电类型的发射极相邻；所述沟道栅极为两道平行设置的沟道结构，两道所述沟道结构之间设置有若干个假栅极；所述沟道栅极与假栅极之间设置有第二导电类型低掺杂浓度的浮空区；所述假栅极与假栅极之间设置有第二导电类型低掺杂浓度的浮空区；所述假栅极呈柱状结构或条状结构，且条状结构的宽度小于栅极沟槽的宽度。
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