[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201320118025.2 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203250746U | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | M.菲莱迈耶;R.西米尼克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体器件,该器件包括:半导体本体，其包括:漏极区;至少两个沟槽和所述沟槽之间的台面区，其中，所述台面区包括上部分和下部分，所述上部分比所述下部分宽；所述下部分中的具有第一导电类型的漂移区；在所述上部分中的具有第一导电类型的源极区和形成在所述源极区与所述漂移区之间的具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型的本体区；以及形成于所述本体区和所述漂移区之间的具有第一导电类型的过渡区,其中所述过渡区具有比所述漂移区重的掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件, 其特征在于, 所述器件包括:半导体本体，包括 漏极区(305); 至少两个沟槽(335)和所述沟槽之间的台面区， 其中，所述台面区包括上部分和下部分，所述上部分比所述下部分宽; 所述下部分中的具有第一导电类型的漂移区(310); 在所述上部分中的具有第一导电类型的源极区(325)和形成在所述源极区与所述漂移区之间的具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型的本体区(320);以及 形成于所述本体区和所述漂移区之间的具有第一导电类型的过渡区(360), 其中所述过渡区具有比所述漂移区(310)重的掺杂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司，未经英飞凌科技奥地利有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320118025.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件
- 下一篇：一种有机电致发光二极管显示装置
- 同类专利
- 专利分类
