[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201320118025.2 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN203250746U | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | M.菲莱迈耶;R.西米尼克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件, 其特征在于, 所述器件包括:
半导体本体，包括
漏极区(305);
至少两个沟槽(335)和所述沟槽之间的台面区， 其中，所述台面区包括上部分和下部分，所述上部分比所述下部分宽;
所述下部分中的具有第一导电类型的漂移区(310);
在所述上部分中的具有第一导电类型的源极区(325)和形成在所述源极区与所述漂移区之间的具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型的本体区(320);以及
形成于所述本体区和所述漂移区之间的具有第一导电类型的过渡区(360), 其中所述过渡区具有比所述漂移区(310)重的掺杂。
2.如权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于, 所述半导体器件进一步包括位于沟槽中的栅极区(350)。
3.如权利要求2所述的半导体器件, 其特征在于, 所述半导体器件进一步包括位于沟槽中栅极区（350）下方的场板（345）。
4.如权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于, 所述半导体器件进一步包括位于所述漂移区(310)和所述漏极区(305)之间的场停止区(465)， 其中所述场停止区(465)具有与所述漂移区(310)相同的导电类型，但是具有比所述漂移区(310)重的掺杂。
5.如权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于, 所述本体区进一步包括具有第二导电类型的重掺杂区(315)。
6.如权利要求2所述的半导体器件, 其特征在于, 所述半导体器件近一步包括电连接至所述漏极区的漏电极， 电连接至所述源极区的源电极和电连接至所述栅极区的栅电极。
7.如权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于, 所述上部分具有比所述下部分的宽度大了场氧化物的平均宽度的至少75%的宽度，其中所述场氧化物通过场氧化形成在所述沟槽的内边界。
8.如权利要求7所述的半导体器件, 其特征在于, 所述上部分具有比所述下部分的宽度大了不超过场氧化物的平均宽度的100%的宽度。
9.如权利要求3所述的半导体器件, 其特征在于, 所述场板(345)电连接至所述源极区。
10.如权利要求3所述的半导体器件, 其特征在于, 所述场板(345)电连接至所述栅极区。
11.如权利要求1-10之一所述的半导体器件, 其特征在于, 所述漏极区(305)具有第一导电类型，因此所述半导体器件构成MOSFET。
12.如权利要求1-10之一所述的半导体器件, 所述漏极区(305)具有第二导电类型，因此所述半导体器件构成IGBT。
13.如权利要求1-2和4-8之一所述的半导体器件, 所述漏极区(305)具有第二导电类型，因此所述半导体器件构成IGBT。
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