[实用新型]一种用于磁控溅射制备薄膜的金属拼接靶有效
| 申请号： | 201320115944.4 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN203112922U | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 黄延伟 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于磁控溅射制备薄膜的金属拼接靶。现有的技术在制备多成分的薄膜时比较难，共溅射不仅设备庞大，而且制备薄膜的成分比难以控制。本实用新型由至少两块厚度一致、直径一致的扇形金属圆盘拼接而成，所有扇形金属圆盘的内角之和为360o。改变扇形金属盘的内角可制备不同元素比、不同成分比的薄膜。溅射时放电环面积大小发生变化，所得薄膜成分也随之变化。本实用新型可用来制备合金薄膜、氧化物掺杂薄膜以及氧化物复合薄膜，简单方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 磁控溅射 制备 薄膜 金属 拼接 | ||
【主权项】：
一种用于磁控溅射制备薄膜的金属拼接靶，其特征是：该靶用于磁控溅射制备薄膜，由至少两块厚度一致、直径一致的扇形金属圆盘拼接而成，所有扇形金属圆盘的内角之和为360o。
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